Neue Wide Bandgap(WBG)-Materialien wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid ermöglichen es als Leistungs-Halbleiter, sehr effizient elektrische Energie in der E-Mobilität, in PV-Wechselrichtern oder Netzteilen umzuwandeln. Die Entwicklung neuer Halbleitermaterialien wird vor allem durch die Anwendungen getrieben.

Das Kooperations-Seminar WBG-Halbleiter gibt einen Einblick in die komplexen Zusammenhänge zwischen der Herstellung der Leistungs-Halbleitermaterialien und den Anwendungseigenschaften in leistungselektronischen Systemen. Nanotechnologisches Grundverständnis ist bei Herstellung und Charakterisierung von Halbleitern von entscheidender Bedeutung für die resultierenden Eigenschaften und die Qualität.

Ziele des Seminars:

• Information über die komplexen Zusammenhänge zwischen Herstellungsprozessen und resultierenden anwendungsrelevanten Eigenschaften
• Grundlegendes Verständnis zu Nanotechnologie und Charakterisierungsverfahren
• Vernetzung von Personen unterschiedlicher Fachdisziplinen und Branchen

Zielgruppe:
Alle Personen, die mehr über die technischen Prozesse und Wechselwirkungen entlang der Wertschöpfungskette moderner Leistungs-Halbleiter erfahren wollen. Insbesondere Entwickler und Anwender, aber auch Vertrieb, Produktmanagement usw.

Teilnahmegebühren:

• 249 EUR - Firmen
• 95 EUR - Universitäten und Institute
• Kostenfreie Teilnahme für Studierende (Kopie des Ausweises erforderlich, begrenzte Anzahl Plätze)

Anmeldeschluss:
8. Oktober 2024 (14Uhr)